英特尔带来全球最薄欧义氮化镓芯片 硅衬底厚度减至19微米

快科技4月14日消息，英特英特尔近日公布了最新研究成果：基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，尔带成功打造出全球最薄的全球欧义氮化镓芯片。该公司已将硅衬底厚度缩减至19微米（μm），最薄相当于人类头发直径的氮化五分之一，标志着半导体设计领域的镓芯减至重大飞跃。

与此同时，片硅英特尔还实现了业界首个氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的衬底单片集成，将复杂的厚度欧义计算功能直接嵌入功率芯片内部，无需分立辅助芯片，微米从而简化了架构，英特并降低了组件之间的尔带能量损失。

这一创新的全球需求源于现代电子行业的一个根本性挑战：在更紧凑的空间中容纳更多功能，同时实现更高的最薄处理效率、功率、氮化速度与能效。

经过英特尔的严格测试，该氮化镓晶体管可承受高达78V的电压，并实现超过300GHz的射频截止频率，完全满足高频通信应用的需求。集成的数字逻辑库运行可靠，反相器开关速度快至33皮秒（ps），且在高温高压环境下仍能保持高度的性能一致性。

与传统基于CMOS工艺的硅芯片相比，氮化镓芯片具备硅基材料在物理极限下无法比拟的综合优势。

英特尔表示，这项新技术是一个有前景的候选方案，能够满足实际部署所需的可靠性标准，使电子设备变得更小、更高效，适用于从数据中心到下一代5G/6G通信等各种应用场景。

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责任编辑：鹿角

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